时间：2025/9/1 8:28:14
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IS61NLP25636B-200TQLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有256K容量，每个地址存储36位数据，适用于需要快速访问和高带宽的数据存储应用。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，提供高性能和低功耗的特性，适用于网络设备、通信系统、工业控制设备和嵌入式系统等领域。
容量：256K x 36 位
访问时间：200MHz
电源电压：2.3V 至 3.6V
封装类型：165-TQFP（薄型四边扁平封装）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
输入/输出接口：TTL/CMOS 兼容
最大功耗：典型工作条件下约300mA
IS61NLP25636B-200TQLI 的核心特性之一是其高速访问能力，访问时间低至200MHz，这使得它非常适合需要快速数据存取的应用场景。该器件采用低功耗设计，能够在保持高性能的同时有效降低功耗，延长设备的使用寿命并减少热量产生。
此外，IS61NLP25636B-200TQLI 支持宽电压范围供电（2.3V 至 3.6V），增强了其在不同应用环境下的适应性。芯片内置的TTL/CMOS兼容接口使其可以轻松集成到现有的数字系统中，无需额外的电平转换电路。
IS61NLP25636B-200TQLI 主要应用于对速度和存储容量有一定要求的嵌入式系统和通信设备。例如，它可以用于路由器、交换机、无线基站等网络通信设备中的缓存存储器，用于临时存储数据包或配置信息。
IS61NLP25636A-200TQLI, CY7C1380D-200BZC, IDT71V416SA200BG
