KTC3880 时间：2025/9/12 12:11:20 阅读：5

KTC3880是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高速开关的电子电路中。该器件由东芝（Toshiba）公司生产，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及马达控制等应用场景。KTC3880采用SOP（小外形封装）或类似的表面贴装封装形式，有助于提高电路设计的灵活性和空间利用率。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.8mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOP（具体引脚数根据型号后缀而定）

特性

KTC3880以其优异的电气性能和可靠性著称。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了电源转换效率，特别适用于高功率密度设计。该器件的高电流容量允许其在大电流负载下稳定运行，连续漏极电流可达100A，且在短时间脉冲条件下可承受高达320A的电流。此外，KTC3880具备较强的耐压能力，漏源耐压为30V，栅源耐压为±20V，这使得它能够在较为严苛的工作环境中保持稳定。
　　在封装方面，KTC3880采用SOP等表面贴装技术（SMT）封装形式，便于自动化生产和节省PCB空间。其100W的额定功耗也表明其具备良好的散热性能，适合高功率应用。KTC3880的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和部分汽车电子应用。此外，该器件具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。

应用

KTC3880主要应用于需要高效能功率管理的电子设备中。例如，在DC-DC转换器中，KTC3880的低导通电阻特性有助于提高转换效率并减少发热。在电源管理系统中，它可以作为负载开关或电池保护开关使用，确保电源的稳定性和安全性。此外，该器件还广泛应用于马达驱动电路、LED照明驱动器以及各种高电流负载控制场合。
　　由于其高电流能力和良好的热稳定性，KTC3880也适用于工业自动化设备、电动工具、无人机动力系统以及储能设备中的功率控制模块。在汽车电子领域，KTC3880可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车灯控制模块等应用。其SOP封装形式也使其成为高密度PCB设计的理想选择。