KTC3879SY-RTK 时间：2025/9/11 16:42:02 阅读：21

KTC3879SY-RTK 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道功率 MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.9mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

KTC3879SY-RTK 的最大特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具有高电流处理能力和优异的热稳定性，确保在高负载条件下依然能够可靠运行。
　　这款 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构设计，优化了电场分布，从而提高了器件的开关性能和耐用性。它还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在苛刻的工作环境中使用。
　　封装方面，KTC3879SY-RTK 采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，便于与多种控制器和驱动器配合使用。

应用

KTC3879SY-RTK 广泛应用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统等。此外，它也常用于服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制系统以及高性能计算设备中的电源模块。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 在高效率电源设计中表现优异，尤其适合需要高密度功率转换和低功耗运行的应用场景。例如，在服务器和数据中心的电源系统中，KTC3879SY-RTK 可用于提高转换效率并减少热量产生。
　　在电池管理系统中，该器件可用于实现高效的充放电控制和电池保护功能，有助于延长电池寿命并提高系统安全性。