时间：2025/9/11 11:25:56
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KTC3879S-Y-RTK/RY 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款晶体管专门设计用于高频开关应用，广泛适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及其他需要高效率功率控制的场合。其采用了先进的沟槽式（Trench）MOS 技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流处理能力，同时具备良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：100A
最大漏-源电压（Vds）：30V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻 Rds(on)：最大 2.9mΩ（在 Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散（Pd）：134W
阈值电压（Vgs(th)）：1V 至 3V（典型值为 2.3V）
KTC3879S-Y-RTK/RY 采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。该器件支持高达 100A 的连续漏极电流，使其适合用于高功率密度的设计。
此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。其封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），具备良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和布局。
该器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，可以在高能脉冲条件下保持稳定，提升系统的可靠性。栅极驱动电压范围较宽（最高可达 20V），但建议使用 10V 以获得最佳性能，确保在高速开关应用中保持低损耗和快速响应。
总体而言，KTC3879S-Y-RTK/RY 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于现代电源管理与功率转换系统中的关键控制环节。
KTC3879S-Y-RTK/RY 广泛应用于多种电力电子设备中，如同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关以及汽车电子系统中的功率控制模块。它也常用于服务器电源、电信设备、工业自动化设备和便携式电子产品中的高效能电源管理解决方案。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和低发热的高频开关应用。此外，在电机驱动和电源管理模块中，该 MOSFET 可作为主开关元件或同步整流器，以提高系统效率和可靠性。
在汽车电子领域，KTC3879S-Y-RTK/RY 可用于电动车辆的电池管理系统、车载充电器、逆变器以及各类车载电子控制单元（ECU）。其宽工作温度范围和良好的热稳定性使其在严苛环境下依然表现出色。
IRF1404、SiS436DN、AUIRF1404、NTMFS4C10N、FDMS86180
