KTC3878SY 时间：2025/12/28 15:35:10 阅读：10

KTC3878SY 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压和低导通电阻的特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效能功率开关的电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

KTC3878SY 的核心优势在于其优异的导通性能和热稳定性。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，能够显著降低导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。其4.5mΩ的RDS(on)值在同类产品中表现优异，适用于高电流应用场景。
　　此外，KTC3878SY具有较高的热阻能力，能够在高功率密度条件下稳定工作。其TO-247封装形式不仅有助于散热，还便于安装在散热片上，进一步提升散热效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，使用灵活。
　　在可靠性方面，KTC3878SY具备良好的短路耐受能力，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适合在严苛环境下使用。其高耐压特性（60V）使其在多种电源转换应用中具有较高的安全裕量。

应用

KTC3878SY 广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业电源以及汽车电子系统。在汽车应用中，它常用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和逆变器等关键部件。此外，该器件也适用于高功率LED照明驱动和储能系统中的功率开关控制。