时间：2025/12/29 14:42:28
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KSPA94 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和电机控制等高功率场景。这款器件采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于需要高效率和高性能的电子设备。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：190A
导通电阻（RDS(ON)）：5.3mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
KSPA94 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高整体系统效率。其 RDS(ON) 值在 VGS=10V 时仅为 5.3mΩ，这在同类器件中属于非常优秀的水平。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达 190A，适用于需要高功率输出的场合。
另一个重要特性是其采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于高密度 PCB 设计。该封装形式支持自动焊接工艺，提高了生产效率和可靠性。
KSPA94 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行，增强了器件在恶劣环境下的耐用性。此外，其栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，使其兼容多种驱动电路设计。
综合来看，KSPA94 是一款高性能的功率 MOSFET，适用于各种需要高效、高可靠性的电力电子系统。
KSPA94 常用于各种电源管理系统中，例如直流-直流转换器、同步整流器和电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为电动工具、电动车控制器、电机驱动器和工业自动化设备的理想选择。
在汽车电子领域，KSPA94 可用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块中的高侧或低侧开关。此外，它也广泛应用于服务器电源、通信设备和工业电源等需要高效率和高可靠性的场合。
由于其出色的热管理和封装设计，KSPA94 非常适合用于需要高密度布局的 PCB 设计，尤其是在空间受限但功率要求较高的应用中。
KSPA94 可以被以下型号替代：KSPF94（Toshiba 同系列产品，性能相近但封装不同）、IRF1404（Infineon Technologies 生产的类似规格 N 沟道 MOSFET）、SiSS190N10NQ（Vishay Siliconix 生产的高电流 N 沟道 MOSFET）等。选择替代型号时需注意其电气特性和封装是否符合应用需求。
