KTC3875SGR 时间：2025/9/12 12:20:15 阅读：34

KTC3875SGR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该MOSFET采用先进的沟槽技术，以提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力。它通常应用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和高功率密度设计中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值1.7mΩ（典型值1.3mΩ，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：SOP（表面贴装封装，具体为SOP-8FL或类似高功率密度封装）

特性

KTC3875SGR的主要特性包括：
　　1. 低导通电阻：通过采用先进的沟槽技术，显著降低了RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
　　2. 高电流处理能力：其设计支持高达100A的连续漏极电流，非常适合高功率应用场景。
　　3. 高耐压性能：漏源电压额定值为30V，同时栅源电压耐受范围为±20V，确保了器件在高压环境下的稳定性。
　　4. 优化的热管理：采用低热阻封装技术，提升了热传导效率，从而在高负荷下也能保持较低的工作温度。
　　5. 宽工作温度范围：能够在-55℃至150℃的温度范围内稳定运行，适用于工业级和汽车级应用需求。
　　6. 小型化封装：采用SOP-8FL等表面贴装封装，节省PCB空间并简化了装配流程。
　　7. 高可靠性：通过严格的测试和筛选，确保在严苛工作条件下的长期稳定性。

应用

KTC3875SGR凭借其卓越的性能广泛应用于多个领域，包括：
　　1. DC-DC转换器：适用于服务器、通信设备和工业电源中的高效率直流转换电路。
　　2. 负载开关：用于电源管理单元，以实现高效能和快速开关控制。
　　3. 电池管理系统：在高功率电池供电设备中用于电池充放电控制和保护电路。
　　4. 电机驱动器：为工业自动化设备提供高电流输出能力。
　　5. 高功率密度设计：如便携式电子设备、高性能计算设备中的电源模块。
　　6. 汽车电子：适用于车载充电器、电动车辆电源系统等需要高可靠性的应用场景。