KTC3875SGR 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该MOSFET采用先进的沟槽技术,以提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力。它通常应用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和高功率密度设计中。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):100A(在Tc=25℃时)
导通电阻(RDS(on)):最大值1.7mΩ(典型值1.3mΩ,VGS=10V)
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SOP(表面贴装封装,具体为SOP-8FL或类似高功率密度封装)
KTC3875SGR的主要特性包括:
1. 低导通电阻:通过采用先进的沟槽技术,显著降低了RDS(on),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。
2. 高电流处理能力:其设计支持高达100A的连续漏极电流,非常适合高功率应用场景。
3. 高耐压性能:漏源电压额定值为30V,同时栅源电压耐受范围为±20V,确保了器件在高压环境下的稳定性。
4. 优化的热管理:采用低热阻封装技术,提升了热传导效率,从而在高负荷下也能保持较低的工作温度。
5. 宽工作温度范围:能够在-55℃至150℃的温度范围内稳定运行,适用于工业级和汽车级应用需求。
6. 小型化封装:采用SOP-8FL等表面贴装封装,节省PCB空间并简化了装配流程。
7. 高可靠性:通过严格的测试和筛选,确保在严苛工作条件下的长期稳定性。
KTC3875SGR凭借其卓越的性能广泛应用于多个领域,包括:
1. DC-DC转换器:适用于服务器、通信设备和工业电源中的高效率直流转换电路。
2. 负载开关:用于电源管理单元,以实现高效能和快速开关控制。
3. 电池管理系统:在高功率电池供电设备中用于电池充放电控制和保护电路。
4. 电机驱动器:为工业自动化设备提供高电流输出能力。
5. 高功率密度设计:如便携式电子设备、高性能计算设备中的电源模块。
6. 汽车电子:适用于车载充电器、电动车辆电源系统等需要高可靠性的应用场景。
SiR142DP-T1-GE3, IPB013N03LGATMA1, FDS6680, CSD17556Q5B