时间：2025/5/10 11:05:43
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KTC3875S-O-RTK/P是一款由KTC推出的高性能N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点，广泛应用于各种电源管理及功率转换电路中。
其主要特点在于能够提供高效的功率传输，并支持高频开关操作，适用于需要高效率和低损耗的场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：49nC
开关时间：ton=9ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
KTC3875S-O-RTK/P的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，允许更大的负载电流通过。
3. 快速开关特性，适合高频应用场合。
4. 强大的雪崩能量承受能力，增强了器件的可靠性。
5. 小型封装设计，节省PCB空间同时具备良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
该MOSFET适用于多种电力电子领域，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC转换器，用于提升转换效率。
3. 电机驱动电路，为电机提供精确的电流控制。
4. 电池保护电路，防止过充过放。
5. 电信设备中的电源模块，确保稳定供电。
6. 工业自动化设备中的功率管理单元。
KTC3875S-O-RTK, IRFZ44N, FDP5570N
