时间：2025/4/27 18:00:59
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BSZ099N06LS5 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性。该器件非常适合用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等。其封装形式为 LFPAK56（Power-SO8），具有出色的散热性能和紧凑的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：99A
导通电阻：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：37nC（典型值）
反向恢复时间：25ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至 175℃
BSZ099N06LS5 提供了非常低的导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高效率。
它具备快速开关能力，适用于高频应用环境。
器件采用了 LFPAK56 封装，这种封装形式不仅节省空间，还具有卓越的热性能和电气性能。
其高电流承载能力和宽温度范围使得该 MOSFET 可以在极端条件下稳定运行。
此外，该产品符合 RoHS 标准，适合环保要求较高的应用场景。
BSZ099N06LS5 广泛应用于高效能开关电源领域，包括但不限于：
1. 工业级 DC-DC 转换器
2. 高功率密度电机驱动器
3. 电动汽车中的电池管理系统 (BMS)
4. 各种负载开关和保护电路
5. 太阳能逆变器及 UPS 系统中的功率转换模块
BSC099N06LS5
