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KTC3875S-GR-RTK/P/ALG 发布时间 时间:2025/5/12 20:47:39 查看 阅读:10

KTC3875S-GR-RTK/P/ALG 是一款高性能的功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率功率转换的理想选择。
  该型号是东芝公司生产的增强型 N 沟道场效应晶体管,能够在较高的工作电压下保持稳定的性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:1120pF
  功耗:240W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 低导通电阻设计能够有效减少功率损耗,提高系统整体效率。
  2. 快速开关速度支持高频操作,非常适合于现代高效能电源解决方案。
  3. 高额定电流能力使其适合大功率应用环境。
  4. 内置反向恢复二极管,可以降低开关过程中的反向恢复损耗。
  5. TO-263 封装具备优秀的散热性能,保证器件在高温环境下稳定运行。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关或同步整流元件。
  2. 各类 DC-DC 转换器电路中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中用于控制电机的启动、停止及调速。
  4. 电池保护电路中的过流保护元件。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5580
  STP40NF06L

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