您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI3433CDV-T1-GE3

SI3433CDV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/29 14:24:41 查看 阅读:2

SI3433CDV-T1-GE3 是一款由 Semtech 公司生产的高效能、低噪声的 RF 放大器芯片。该器件设计用于无线通信应用,具有高增益和良好的线性度,非常适合于需要高性能射频信号放大的场合。其封装形式为 MLF-8,适合表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产。
  SI3433CDV-T1-GE3 在工作频率范围内提供稳定的性能,并且具备较低的功耗特性,这使其成为便携式和电池供电设备的理想选择。

参数

工作电压:2.7V 至 5.5V
  增益:16dB
  输出 IP3(三阶截点):+30dBm
  噪声系数:1.9dB
  工作频率范围:40MHz 至 1GHz
  最大功耗:30mA
  封装:MLF-8

特性

1. 高增益和低噪声系数使其适用于多种射频前端应用。
  2. 提供出色的线性度,确保在复杂调制方案下的良好性能。
  3. 广泛的工作频率范围,能够覆盖从低频到高频的多种通信标准。
  4. 宽电源电压范围增强了其在不同应用场景中的适应性。
  5. 封装小巧,支持高效的表面贴装工艺,降低整体解决方案的成本。
  6. 内部集成偏置电路,简化了外围电路设计,减少了外部元件的需求。

应用

SI3433CDV-T1-GE3 广泛应用于各种射频通信系统中,包括但不限于:
  1. GSM、CDMA 和 LTE 等蜂窝网络基站。
  2. Wi-Fi 和蓝牙模块中的射频信号放大。
  3. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段设备。
  4. GPS 接收机前端以提高灵敏度。
  5. 有源天线系统和其他射频增强应用。
  此外,它还可以用作测试仪器中的射频信号源驱动器或放大器。

替代型号

SI3432CDV-T1-GE3
  SI3434CDV-T1-GE3

SI3433CDV-T1-GE3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI3433CDV-T1-GE3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SI3433CDV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C38 毫欧 @ 5.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 8V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3433CDV-T1-GE3-NDSI3433CDV-T1-GE3TR