时间：2025/9/11 8:36:30
阅读：16
KTC3875S-G 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于需要高效能开关操作的应用。这款MOSFET具备低导通电阻和高功率处理能力，适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用场景。KTC3875S-G采用SOP（Small Outline Package）封装形式，具备良好的散热性能和较高的可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：100A
漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
KTC3875S-G MOSFET具有多项出色的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。该器件的漏极电流额定值高达100A，使其适用于高功率负载的应用场景。
其次，KTC3875S-G的漏极-源极电压（Vds）为30V，适用于低压高电流的电源管理系统。栅极-源极电压的最大额定值为±20V，这为设计人员提供了较大的驱动电压范围，同时确保了栅极氧化层的可靠性。
此外，该MOSFET采用SOP封装形式，具备良好的散热能力，适合表面贴装工艺，从而简化了PCB设计并提高了生产效率。其工作温度范围从-55°C到150°C，保证了在各种环境条件下的稳定运行。
最后，KTC3875S-G的高功率耗散能力（100W）确保其在高负载条件下仍能保持稳定性能。这种特性使其成为需要高可靠性和高效能的电子系统中理想的功率开关元件。
KTC3875S-G广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效功率管理和高电流处理能力的场合。常见的应用包括电源转换器、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制器以及工业自动化设备中的负载开关电路。此外，它也适用于需要快速开关操作的高功率LED驱动电路和消费类电子产品中的电源管理系统。
SiR142DP-T1-GE3, IRF1404, FDS4435B, KTD3875S-G
