时间：2025/9/11 19:18:38
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KTC3770V-B-RTK是一款由KEXIN（科信）公司制造的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等电子系统中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。KTC3770V-B-RTK采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，便于在各种高功率密度环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大6.5mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：120W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装：TO-252（DPAK）
KTC3770V-B-RTK具有出色的电性能和热性能，其低导通电阻可显著降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET在高电流应用中表现出良好的稳定性和可靠性，适用于高负载条件下的开关操作。其60V的漏源电压额定值允许其在中高功率系统中使用，如DC-DC转换器、电池管理系统和电机驱动器。
此外，该器件的栅极设计可承受±20V的栅源电压，提高了其在复杂电磁环境下的抗干扰能力。TO-252封装提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下仍能维持较低的结温，从而延长器件的使用寿命。
该MOSFET还具备快速开关能力，适用于高频开关电路，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高整体系统的功率密度。
KTC3770V-B-RTK常用于各类电源管理系统，包括同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于电机控制、电动车控制器、工业自动化设备以及各种高功率便携式电子产品。在服务器电源、通信设备电源模块以及UPS系统中也有广泛应用。
Si7392DP-T1-GE3, IRF1404, AUIRF1404, AO4404
