时间：2025/4/29 9:35:04
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DMN3018SSD 是一款 N 治道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Diodes Incorporated 生产。该器件采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其设计能够实现高效的电源管理，并在各种负载条件下提供稳定的性能。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：4.2A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：12nC
开关时间：ton=9ns, toff=27ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN3018SSD 具有低导通电阻，可减少功率损耗并提高效率。同时，它拥有快速的开关速度，有助于降低开关损耗并在高频应用中表现出色。
该器件的栅极阈值电压经过优化，能够在低电压条件下可靠运行，非常适合电池供电设备。
SO-8 封装提供了良好的散热性能和电气隔离，确保在高密度电路板布局中的可靠性。
此外，DMN3018SSD 的高雪崩能力增强了其在瞬态条件下的鲁棒性，延长了器件寿命。
DMN3018SSD 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、LED 驱动器以及消费类电子产品中的功率管理模块。它的高效性能和紧凑封装使其成为便携式设备的理想选择，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑配件。
在工业领域，该 MOSFET 也可用于小型化设计的电源适配器和电池充电器。
DMN2018UFDD, DMN3020SSD
