时间：2025/9/12 17:04:09
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KTC3770V-B-RTK/P 是一款由Korea Electronics Technology Institute（KETI）子公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率的功率转换应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高电流能力，适合在高密度电源设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：5.7mΩ（典型值）
封装类型：PowerPAK SO-8双封装
工作温度范围：-55°C 至 150°C
KTC3770V-B-RTK/P MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作条件下功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。
该器件采用PowerPAK SO-8双封装技术，具有良好的热管理和电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。
其栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
此外，该MOSFET具有较高的雪崩击穿耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子产品应用。
KTC3770V-B-RTK/P广泛应用于各类电力电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及负载开关控制等。
在服务器电源、笔记本电脑适配器、电动工具、电动车电池管理系统以及太阳能逆变器等领域，该MOSFET能够发挥出色的性能。
由于其优异的导通特性和热稳定性，也常用于高频率开关电源设计中，以提升电源转换效率并减少散热设计的复杂度。
同时，该器件适用于多并联MOSFET设计，以满足更高功率输出的需求。
Si7490DP, FDS4410A, IRF6717, KTD3770V
