时间：2025/5/7 9:50:56
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KTC3770U-C-RTK/P 是一款高性能的功率晶体管，适用于高频率、大电流和高电压的应用场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
它属于 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)，通过优化设计显著提升了效率和稳定性。此外，其封装形式能够有效降低热阻并提高散热性能，适合在苛刻的工作环境下使用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：28A
导通电阻：0.14Ω
栅极电荷：130nC
输入电容：2000pF
反向传输电容：350pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压能力，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗并提升整体效率。
3. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
4. 优异的热稳定性，能够在宽温范围内保持一致的性能。
5. 强大的抗雪崩能力，增强器件在异常情况下的保护功能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 充电器模块
6. 太阳能逆变系统
7. 各类电力电子设备中的功率开关组件
KTC3770U-G-RTK/P, IRF840, STP36NF06
