类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.8mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

KTC3600U 具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率、高频应用中表现出色。
　　首先，它的低导通电阻（RDS(on)）仅为3.8mΩ，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，从而减少发热并提高系统的整体能效。
　　其次，该MOSFET的高漏源击穿电压（60V）使其适用于中等电压级别的电源转换器，如同步整流器、电池管理系统和负载开关等应用。
　　此外，KTC3600U 采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高电流和高功率条件下工作，同时也有利于简化PCB布局和散热设计。
　　其高栅极驱动电压容限（±20V）增强了器件在高噪声环境下的稳定性和可靠性，防止因电压尖峰导致的栅极击穿。
　　同时，KTC3600U 的快速开关特性减少了开关损耗，提高了系统的动态响应能力，适用于高频开关电源（SMPS）和DC-DC转换器等对效率和响应速度有要求的应用场景。
　　最后，其工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的环境适应性，适用于工业控制、汽车电子、电源管理等多种恶劣工作环境。

KTC3600U 主要用于需要高电流和高效率的功率电子设备中。典型应用包括大功率DC-DC转换器、服务器电源、电动工具、电池管理系统、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及同步整流电路等。由于其高电流容量和低导通电阻，它也常用于高效率的开关电源（SMPS）设计中，尤其是在需要大功率输出的工业和通信设备电源模块中。此外，该器件还可用于高频逆变器和功率因数校正（PFC）电路中，以提升整体系统的能效和稳定性。

SiR178DP-T1-GE、IRFB4110PBF、FDMS86101、TKA100N60W