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KTC3203Y 发布时间 时间:2025/12/28 14:56:43 查看 阅读:9

KTC3203Y是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高功率开关应用。这款器件采用先进的平面工艺技术制造,具有低导通电阻和高可靠性。KTC3203Y通常用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机控制和电池充电设备等场合。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):120A
  最大脉冲漏极电流(Idm):480A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  最大耗散功率(Pd):200W
  封装形式:TO-263(D2PAK)
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

KTC3203Y具有非常低的导通电阻,使其在高电流应用中具有极低的功率损耗。该器件的栅极驱动电压范围宽,通常在4.5V到20V之间,能够兼容多种驱动电路。此外,KTC3203Y具有较高的热稳定性和耐久性,能够在高负载条件下长时间工作。
  该MOSFET采用TO-263封装,具有良好的散热性能,便于在高功率应用中使用。器件的结构设计优化了开关速度,减少了开关损耗,适用于高频开关电源应用。KTC3203Y还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性,确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。
  此外,KTC3203Y的制造工艺确保了良好的参数一致性,适合批量应用。其栅极氧化层设计能够承受较高的电压应力,提高了器件的可靠性和使用寿命。器件的封装材料符合RoHS环保标准,适用于环保要求较高的电子设备。

应用

KTC3203Y广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、同步整流器、DC-DC转换器以及电机控制电路。它也常用于电池管理系统,如电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池充放电控制电路。
  此外,KTC3203Y还可用于高功率LED照明驱动电路、工业自动化设备和电源分配系统。由于其优异的导通性能和热稳定性,该器件也适用于需要高可靠性的航空航天和工业控制领域。在音频功率放大器中,KTC3203Y也可作为输出级开关元件,提供高效的音频信号放大功能。

替代型号

SiR142DP, IRF1404, NexFET CSD17551Q5A

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