KTC2875-B-RTK 时间：2025/9/11 15:27:30 阅读：4

KTC2875-B-RTK是一款由Kec Corporation（Korea Electronics）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和优异的热稳定性，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电源管理模块。KTC2875-B-RTK采用SOT-223封装，适合表面贴装工艺，提供良好的电气性能和散热能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：100A
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

KTC2875-B-RTK具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），通常在VGS=10V时可低至5.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高能效。该MOSFET采用先进的沟槽式结构设计，优化了电流传输能力，同时提升了器件的稳定性和可靠性。
　　其次，该器件具有较高的电流承载能力，额定漏极电流可达100A，适用于高功率密度的电源系统。此外，其最大漏极-源极电压为30V，能够适应中低压电源转换应用的需求，如同步整流、马达驱动和电源开关等。
　　封装方面，KTC2875-B-RTK采用SOT-223封装形式，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，从而简化了PCB布局并提高了生产效率。该器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于要求较高的工业和车载应用环境。
　　此外，KTC2875-B-RTK的栅极驱动电压范围较宽，可在±20V范围内正常工作，兼容常见的驱动电路设计。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。

应用

KTC2875-B-RTK广泛应用于各类功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块等。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和高性能的电源转换系统，例如服务器电源、通信设备电源、工业自动化控制电源以及新能源汽车相关电子系统。
　　此外，该MOSFET也可用于便携式电子设备的电源管理电路，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源开关与负载控制。在车载电子系统中，KTC2875-B-RTK可用于车载充电器、LED照明驱动电路以及电动助力转向系统（EPS）等关键模块，提供稳定可靠的功率控制解决方案。