KTC2875-A是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压、快速开关特性等优点,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等高效率功率应用。KTC2875-A采用SOP-8或TO-252等常见封装形式,便于在各种电子设备中集成。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A(在25℃)
导通电阻(Rds(on)):≤8.5mΩ(典型值)
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220、TO-252、SOP-8等
KTC2875-A具有优异的导通和开关性能,其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺,提升了电流处理能力和热稳定性。此外,KTC2875-A具备较高的栅极电荷(Qg)控制能力,使其在高频开关应用中表现出色。其坚固的结构设计和良好的热阻性能,确保了在高负载和高温环境下仍能稳定运行。
此外,该MOSFET具备较强的抗雪崩击穿能力,能够在突发电压冲击下保持正常工作,提高了整体系统的可靠性。KTC2875-A还具备较低的跨导(跨导高),有助于增强栅极控制的灵敏度,从而优化驱动性能。这些特性使其成为高性能电源管理方案中的理想选择。
KTC2875-A主要应用于各类电源管理系统,包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,该器件也常用于LED驱动、逆变器、UPS不间断电源等需要高效率和高稳定性的电路设计中。其优异的导通特性和高频响应能力,使其在高性能开关电源(SMPS)设计中表现出色,特别适合对效率和散热有较高要求的应用场景。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1405, AO4406A, FDS6680, IPD95N30C3