KTC2875-A 时间：2025/9/11 11:22:58 阅读：33

KTC2875-A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压、快速开关特性等优点，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等高效率功率应用。KTC2875-A采用SOP-8或TO-252等常见封装形式，便于在各种电子设备中集成。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤8.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252、SOP-8等

特性

KTC2875-A具有优异的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，提升了电流处理能力和热稳定性。此外，KTC2875-A具备较高的栅极电荷（Qg）控制能力，使其在高频开关应用中表现出色。其坚固的结构设计和良好的热阻性能，确保了在高负载和高温环境下仍能稳定运行。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在突发电压冲击下保持正常工作，提高了整体系统的可靠性。KTC2875-A还具备较低的跨导（跨导高），有助于增强栅极控制的灵敏度，从而优化驱动性能。这些特性使其成为高性能电源管理方案中的理想选择。

应用

KTC2875-A主要应用于各类电源管理系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也常用于LED驱动、逆变器、UPS不间断电源等需要高效率和高稳定性的电路设计中。其优异的导通特性和高频响应能力，使其在高性能开关电源（SMPS）设计中表现出色，特别适合对效率和散热有较高要求的应用场景。