KTC2825D 时间：2025/9/11 18:46:08 阅读：15

KTC2825D 是一款由韩国电子元件制造商 KEC（Korea Electronics Corporation）推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高电流、高频率开关应用，具有良好的导通特性和热稳定性。KTC2825D 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、电池充电器以及各种功率电子设备中。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具备优良的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KTC2825D 功率 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性，适用于多种功率电子应用。该器件的最大漏源电压为 60V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源系统。其连续漏极电流可达 10A，支持高功率输出，适用于需要大电流驱动的场景，如电机控制、电源转换等。
　　KTC2825D 的栅源电压范围为 ±20V，提供了较高的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动 IC 配合使用。其 TO-252 封装形式具备良好的散热能力，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　此外，该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其热阻较低，有助于在高功率工作状态下保持良好的温度控制，延长器件寿命。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态电压冲击，从而提高系统的稳定性和可靠性。这些特性使得 KTC2825D 成为适用于电源转换、负载开关、马达驱动等应用的理想选择。

应用

KTC2825D 广泛应用于各类功率电子系统中，尤其是在需要高效、高电流开关能力的场合。该器件常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、同步整流器、电池管理系统（BMS）以及负载开关电路中。由于其高电流承载能力和良好的热性能，KTC2825D 也广泛用于电机驱动器和马达控制模块，如电动工具、风扇、泵类设备等。此外，该器件还可用于 LED 照明驱动、电源管理模块、工业自动化控制系统、汽车电子系统（如车载充电器和 DC-DC 转换模块）等场景。在消费类电子产品中，KTC2825D 也常用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路中。