时间：2025/12/28 15:41:45
阅读：11
KHB4D0N80F1是一款由KEMET公司生产的陶瓷电容器，广泛应用于各种电子设备中，具有良好的稳定性和可靠性。该电容器采用多层陶瓷技术，能够在高频环境下提供稳定的电容值，适用于去耦、滤波和旁路等应用场景。
电容值：4.7nF
容差：±0.5pF
额定电压：50V
温度系数：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C至+125°C
封装类型：0805（公制2012）
KHB4D0N80F1陶瓷电容器采用了先进的多层陶瓷制造工艺，确保了其在各种工作条件下的稳定性和可靠性。该电容器的温度系数为C0G（NP0），这意味着其电容值在温度变化时几乎不会发生偏移，非常适合对电容稳定性要求极高的应用场景。
此外，该电容器具有优异的高频特性，能够在高频率下保持稳定的电容值，适用于射频（RF）电路和高速数字电路中的去耦和滤波应用。其紧凑的0805封装形式使其能够轻松集成到空间受限的设计中，同时保持良好的电气性能。
KHB4D0N80F1还具有出色的抗湿性和耐热性，能够在恶劣的环境条件下长期稳定工作。这些特性使得该电容器非常适合用于汽车电子、工业控制、通信设备以及其他高可靠性要求的应用场景。
KHB4D0N80F1陶瓷电容器适用于多种电子电路设计，包括电源去耦、信号滤波、旁路电路、射频（RF）电路以及高速数字电路等。此外，该电容器也常用于汽车电子系统、工业自动化设备、通信基础设施以及消费类电子产品中，提供稳定可靠的电容性能。
KHB4D0N80F1的替代型号包括TDK的C1608C0G1H472J060BC和Murata的GRM21BR71H472KA01L。这些型号在电容值、额定电压和封装尺寸方面与KHB4D0N80F1相似，能够满足类似的应用需求。
