类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A
　　导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　功率耗散(Pd)：100W
　　漏源击穿电压(BVdss)：30V
　　栅极电荷(Qg)：85nC（典型值）
　　输入电容(Ciss)：2100pF（典型值）

KTC2815L 具备多项优秀的电气和物理特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下器件的功率损耗较低，从而提高整体系统的效率并减少发热。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构，有助于降低开关损耗，使其适用于高频开关应用。
　　其次，KTC2815L 的高电流处理能力（100A连续漏极电流）使得其在大功率负载下依然能够稳定工作，适合用于高功率密度的设计。该器件的热性能也非常优越，TO-220AB封装具有良好的散热能力，能够有效将热量传导至散热片，确保在高负载条件下依然保持稳定的性能。
　　再者，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高开关速度，同时降低了驱动损耗。输入电容（Ciss）的典型值为2100pF，这在高频应用中尤为重要，因为它影响着开关速度和驱动功率。
　　最后，KTC2815L 具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），使其能够在恶劣的环境条件下正常运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子等多个领域。

KTC2815L MOSFET 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、LED驱动器以及各种类型的功率放大器。在这些应用中，KTC2815L 能够提供卓越的导通和开关性能，从而提高系统的整体效率和稳定性。
　　此外，由于其高电流处理能力和良好的热管理特性，KTC2815L 也广泛用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电力控制系统中，如车载充电器、电机控制器和能量回收系统等。在工业自动化和机器人控制领域，该MOSFET可用于高性能伺服驱动器和直流电机控制模块。

TK2815K10M, IRF1405, Si4410DY