KTC2815D-Y-RTF 时间：2025/12/28 14:56:18 阅读：12

KTC2815D-Y-RTF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种高效率、高频开关应用中。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

KTC2815D-Y-RTF的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件还具有高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。此外，它具备优良的热稳定性与散热性能，适合在高温环境中使用。封装设计优化，支持快速安装和良好的热管理。其高耐压特性使其适用于多种高压应用，同时提供强大的抗过载能力。
　　另一个关键特性是其栅极驱动电压范围较宽，允许在多种驱动条件下运行，同时保持良好的开关性能。MOSFET的开关损耗较低，适用于高频开关电源设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的设计要求。

应用

KTC2815D-Y-RTF主要用于高性能电源系统，如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和电池保护电路等。其优异的性能也使其适用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和工业自动化设备中的功率控制部分。此外，它还被广泛应用于高功率LED照明驱动电路、笔记本电脑适配器及各种便携式电子设备的电源管理模块。