时间:2025/12/28 14:49:24
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KTC2026Y 是一款由东芝(Toshiba)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高效率电源转换和功率控制应用。这款器件设计用于在高电流和高频率条件下工作,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等电路中。KTC2026Y 采用 SOP(Small Outline Package)封装,便于在空间受限的电路中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):26mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOP-8
KTC2026Y 的主要特性包括其低导通电阻,这有助于降低功率损耗并提高系统效率。在高电流条件下,低 Rds(on) 可显著减少导通状态下的功率损耗,从而提升整体性能。此外,该器件具有较高的开关速度,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和电机控制电路。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,确保在高负载环境下仍能稳定运行。
其 SOP-8 封装形式不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,适用于紧凑型设计。KTC2026Y 的栅极驱动电压范围较宽,可在 4.5V 至 20V 之间正常工作,使其适用于多种驱动电路配置。此外,该器件的高可靠性使其适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的关键功率管理应用。
KTC2026Y 常见于多种电源管理和功率控制电路中。其主要应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关以及电机驱动电路。在同步整流器中,KTC2026Y 可替代传统二极管以提高转换效率;在 DC-DC 转换器中,它用于高频开关操作以实现高效能转换;在电池管理系统中,该器件用于控制电池充放电路径;在负载开关电路中,它可以实现对负载的快速通断控制。此外,KTC2026Y 也适用于 LED 照明驱动、智能功率插座以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。
Si2302DS、IRF7404、FDV303N、AO4406、FDS6675