类型：NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-26（6引脚）
　　增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　饱和压降（VCE(sat)）：0.2V（典型值，IC=100mA）

KTC2022D-Y 晶体管阵列具有多项优良特性，适用于多种电子电路设计需求。
　　首先，该器件采用双晶体管封装形式，能够在一个封装中提供两个独立的NPN晶体管，有效节省电路板空间并提高集成度。这在高密度PCB设计中尤为有用。
　　其次，KTC2022D-Y 的 hFE（电流增益）范围广泛，通常在110至800之间，分为不同档位可供选择，使其适用于不同放大倍数需求的电路设计。此外，其过渡频率（fT）高达250MHz，表明该器件具有良好的高频响应能力，适合用于中高频放大电路或高速开关电路。
　　再者，KTC2022D-Y 的 VCE(sat) 饱和压降较低，典型值为0.2V，这有助于降低功耗并提高能效，特别适合用于需要低功耗设计的电池供电设备或便携式电子产品。
　　最后，该器件具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。

KTC2022D-Y 主要用于以下几类电子电路设计：
　　首先，在模拟放大电路中，该器件可用于构建多级放大器、差分放大器或电压跟随器等，其高增益和良好频率响应使其在音频放大、信号调理等领域具有良好的表现。
　　其次，在数字电路中，KTC2022D-Y 常被用作开关晶体管，用于驱动继电器、LED指示灯、小型电机或其他负载设备。其低饱和压降和较高的工作频率使其在PWM控制、电源管理等方面也有广泛应用。
　　此外，在传感器接口电路中，KTC2022D-Y 可用于构建信号放大和缓冲电路，将微弱的传感器信号进行放大以供后续ADC采样或比较器处理。
　　由于其良好的温度稳定性和可靠性，该器件也常用于工业自动化控制、汽车电子、通信设备以及消费类电子产品中。

KTC2022D-Y 的功能和性能与以下型号相近，可在设计中作为替代选择：KTC2022A、KTC2022B、KTC2022C、KTC2022D、KTC2022G、KTC2022J、KTC2022K、KTC2022L、KTC2022M、KTC2022N、KTC2022P、KTC2022R、KTC2022S、KTC2022T、KTC2022U、KTC2022W、KTC2022X、KTC2022Y、KTC2022Z。