您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > KTB688-O-U

KTB688-O-U 发布时间 时间:2025/9/11 13:52:11 查看 阅读:34

KTB688-O-U 是一款由 Kinetic Technologies(以前的型号可能来源于其他品牌如Toshiba或东芝)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于功率开关和高效率电源管理应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。KTB688-O-U 属于N沟道增强型MOSFET,广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路中。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A(在25℃)
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(最大)
  功率耗散(Pd):130W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:PowerPAK SO-8

特性

KTB688-O-U 具备多项优异的电气和物理特性,适用于高性能功率转换系统。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率,使得该器件适用于高电流应用,如服务器电源、电动车电池管理系统以及工业电机控制。
  其次,该MOSFET采用了先进的封装技术(如PowerPAK SO-8),在小型封装内实现了高功率密度,有助于节省PCB空间,同时具备良好的散热性能。
  再者,KTB688-O-U 的栅极驱动电压范围较宽(通常支持4.5V至20V),兼容多种驱动电路设计,包括常见的12V和5V逻辑电平驱动器。
  此外,该器件具备较高的雪崩能量承受能力,增强了在突发负载或电感反冲环境下的可靠性,适用于电机驱动和开关电源等严苛工作条件。
  最后,KTB688-O-U 的工作温度范围宽达-55℃至+175℃,可在极端环境条件下稳定运行,适用于汽车电子、航空航天和工业自动化等高要求领域。

应用

KTB688-O-U 主要用于需要高效功率管理的电子系统中。常见的应用包括:
  ? DC-DC转换器:如降压(Buck)、升压(Boost)和反相(Buck-Boost)拓扑,用于服务器、通信设备和嵌入式系统的电源模块。
  ? 电池管理系统(BMS):用于电动工具、电动车和储能系统中的充放电控制电路。
  ? 电机控制:用于无刷直流电机(BLDC)驱动器、电动滑板车、无人机等场合的H桥电路。
  ? 负载开关:用于智能电源管理,控制多个子系统的供电,如笔记本电脑、平板设备和IoT终端。
  ? 太阳能逆变器和储能系统:作为高频开关元件,提高能源转换效率。
  此外,该器件还可用于LED照明驱动、电源分配系统和各种高效率功率调节电路。

替代型号

SiR178DP-T1-GE、NTMFS5C410NLT、IPB013N06N G、FDMS7680、AO4407A

KTB688-O-U推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价