类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
　　功耗（PD）：300W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5mΩ（最大值3.2mΩ）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工艺技术：Trench MOSFET

KTB1469-Y-U 采用先进的Trench MOS技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其最大漏源电压为60V，能够支持多种中高压应用，例如电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制电路等。该MOSFET具备较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为120A，适合高功率密度设计。
　　此外，KTB1469-Y-U 的封装形式为TO-263（D2PAK），这是一种表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动焊接工艺，提高了生产效率。该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为4.5V至10V），便于与各种控制器或驱动IC配合使用。
　　该MOSFET的热阻（RθJC）较低，确保在高电流工作条件下仍能保持良好的热管理性能，避免过热损坏。同时，它具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护作用。

KTB1469-Y-U 主要应用于各种电源管理系统，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池充电与保护电路以及电机驱动器等。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源转换设备，如服务器电源、电信设备电源、笔记本电脑电源适配器和工业自动化控制模块等。此外，该MOSFET也可用于电动车控制器、无人机动力系统、太阳能逆变器等高功率应用中，提供可靠的开关性能和热稳定性。

KTB1469-Y-U 可以考虑的替代型号包括：SiS1469DN-T1-E3、IRF1404ZPBF、IPB061N06N G、FDP1469AN-F085、NTMFS4C10N