BAV99TE6433是一种双二极管芯片,专为高频和高速开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,具有低电容、快速恢复特性和高浪涌能力。它通常用于信号隔离、ESD保护以及射频电路中。
这种芯片内部包含两个独立的二极管单元,能够提供高效的反向电压阻断能力,并且具备出色的正向电流处理能力。其封装形式紧凑,非常适合空间受限的应用场景。
类型:双二极管
材料:硅(Si)
最大正向电流(IF):1.0A
峰值正向浪涌电流(IFM):8.0A
最大反向电压(VR):75V
工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
结电容(Cj):4pF(典型值)
正向电压降(VF):1.0V(@ IF=150mA)
封装形式:SOT-23
BAV99TE6433的主要特点是其快速恢复时间与较低的反向恢复电荷(Qrr),这使其成为高频电路的理想选择。
1. 快速恢复时间:该器件具有小于4ns的典型恢复时间,适合于高频开关应用。
2. 高可靠性:能够在极端温度范围内稳定运行,满足工业级和汽车级要求。
3. 紧凑设计:采用SOT-23小型封装,节省PCB板空间。
4. 双通道结构:集成两个二极管,减少了外部元件数量并简化了设计。
5. 低结电容:仅为4pF,有助于减少信号失真和提高效率。
6. 良好的ESD防护性能:可承受高达±1kV的静电放电冲击。
BAV99TE6433广泛应用于各种电子设备中,尤其是在需要高效信号切换或保护的场合:
1. 数据通信接口保护:如USB、以太网等端口的ESD防护。
2. 射频模块:在无线通信系统中作为钳位二极管使用。
3. 开关电源:用于续流路径中的整流功能。
4. 工业控制:为敏感信号线提供瞬态电压抑制。
5. 汽车电子:适用于车载娱乐系统及传感器信号链路保护。
6. 电池管理系统:防止过压或欠压条件下的损坏。
BAV99W, BAV99, PMEG6015EP