时间：2025/12/28 14:33:22
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KTB1260-Y-RTF 是一款由Korea Electronics（KEC）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流和高功率的开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各类高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：120A（在Tc=25℃）
脉冲漏极电流(IDM)：480A
功耗(PD)：200W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
导通电阻(RDS(on))：典型值为3.5mΩ（当VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：约140nC
输入电容(Ciss)：约2600pF
KTB1260-Y-RTF 的主要特性包括出色的导通性能和低导通损耗，这是由于其极低的RDS(on)值（通常为3.5mΩ），使得在高电流工作条件下，功率损耗大大降低，从而提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，增强了电流承载能力并优化了热管理性能。此外，其高达120A的连续漏极电流和480A的脉冲漏极电流能力，使其适用于高功率密度应用。
该MOSFET采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，并且支持自动化贴片生产，适用于大规模电子制造。器件还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在电压瞬态和开关瞬态下的稳定性，提升了系统可靠性。
其栅极驱动特性也经过优化，适用于多种栅极驱动电路，在10V栅极电压下即可实现充分导通。同时，±20V的栅源电压耐受范围使其在各种开关条件下都能保持稳定运行。
KTB1260-Y-RTF 常见于高功率开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、电动车电源系统以及工业自动化设备中的高电流开关应用。此外，该器件也适合用于高功率LED照明驱动、负载开关和热插拔保护电路中，因其高电流能力和高可靠性而受到广泛欢迎。
KTB1260-Y-RTF的替代型号包括KTB1270-Y-RTF、KTD1260-Y-RTF以及国际品牌型号如IRF1404、IRF1405、SiS434DN、FDS4410A等。
