时间：2025/8/17 1:22:54
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DTESDB5V0LED02EB是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，专为保护敏感电子设备免受静电放电损害而设计。该器件具有低电容特性，适用于高速数据线和接口的ESD保护，如USB、HDMI、DisplayPort等。DTESDB5V0LED02EB采用微型DFPN（Dual Flat No-lead）封装，封装尺寸为1.0mm x 1.0mm，适用于空间受限的便携式电子设备。
工作电压：5.0V
反向击穿电压：5.5V（min）
峰值脉冲电流（8/20μs）：10A
钳位电压（at 10A）：13V max
电容（at 1MHz）：0.35pF typ
漏电流（at 25°C）：10nA max
封装类型：DFPN 1.0x1.0mm
引脚数：4
DTESDB5V0LED02EB的主要特性之一是其极低的寄生电容（0.35pF），这使得该器件非常适合用于高频信号线路的保护，不会对信号完整性造成显著影响。该器件采用双向保护结构，能够在正负两个方向提供对称的ESD保护性能，确保在各种ESD事件中都能提供稳定的保护效果。此外，该ESD保护二极管具有快速响应时间，能够在纳秒级别内将高能静电脉冲钳位到安全电压范围内，保护下游电路不受损坏。该器件的封装设计有助于减少寄生电感，提高高频性能，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。由于其紧凑的封装尺寸和高性能特性，DTESDB5V0LED02EB广泛应用于便携式消费电子产品、通信设备和工业控制系统中。
DTESDB5V0LED02EB常用于高速数据接口的静电保护，例如USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、LVDS、MIPI接口等。在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携设备中，该器件可用于保护数据线、摄像头接口、显示屏接口等易受静电影响的部位。此外，该器件也可用于工业通信接口、测试测量设备、医疗电子设备以及汽车电子系统的接口保护，确保设备在复杂电磁环境中能够稳定运行。由于其低电容特性，DTESDB5V0LED02EB特别适合用于数据传输速率较高的应用场合。
SMF05C, PESD5V0S1BA, ESDA6V1W5B1
