时间：2025/5/8 14:49:39
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KTA1807D-Y-RTF/P 是一款高效能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，可显著提升系统效率并降低功耗。
该型号属于工业级产品，适用于高电流和高频率的应用场景。其封装形式为 PDFN5x6-3L，有助于提高散热性能并节省电路板空间。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：42A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：38nC
开关时间：ton=10ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效降低传导损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高电流处理能力，支持大功率负载。
4. 小型化封装设计，优化 PCB 布局。
5. 强大的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
6. 内置 ESD 保护功能，增强抗静电能力。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
6. 各种电池管理系统（BMS）中的保护开关。
KTA1807D-TR, KTA1807D-RTF, KTA1807D-Y-P
