KTA1551T-RTK是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率开关场合。该器件由东芝(Toshiba)制造,具备较高的导通性能和可靠性,适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等多种应用场景。KTA1551T-RTK采用SOT-223封装,具有良好的散热能力和紧凑的外形尺寸,适合高密度PCB设计。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):0.035Ω(最大值,@Vgs=10V)
功率耗散(Pd):1.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOT-223
KTA1551T-RTK具备低导通电阻,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET具有较高的栅极绝缘能力,栅源电压可达±20V,提升了在复杂电磁环境下的稳定性。
此外,该器件的SOT-223封装设计提供了良好的散热性能,适合在高电流工作条件下使用。KTA1551T-RTK还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC转换器等。
其热阻(Rth)较低,有助于提升器件在高负载下的可靠性,延长使用寿命。同时,该MOSFET具有较高的耐用性和抗冲击能力,适应各种工业和消费类电子设备的需求。
KTA1551T-RTK适用于多种电源管理与功率控制电路。例如,在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关器件;在电机驱动电路中用于控制电机的启停与方向;在电池管理系统中作为充放电控制开关。
此外,该MOSFET还可用于LED照明调光电路、电源负载开关、智能电表、工业自动化控制设备以及各类消费电子产品中的电源模块。其高可靠性和紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。
Si2302DS, AO3400, FDS6675, NTD4859N