KTA1551T-RTK 时间：2025/9/11 13:55:33 阅读：32

KTA1551T-RTK是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关场合。该器件由东芝（Toshiba）制造，具备较高的导通性能和可靠性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等多种应用场景。KTA1551T-RTK采用SOT-223封装，具有良好的散热能力和紧凑的外形尺寸，适合高密度PCB设计。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω（最大值，@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

KTA1551T-RTK具备低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET具有较高的栅极绝缘能力，栅源电压可达±20V，提升了在复杂电磁环境下的稳定性。
　　此外，该器件的SOT-223封装设计提供了良好的散热性能，适合在高电流工作条件下使用。KTA1551T-RTK还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器等。
　　其热阻（Rth）较低，有助于提升器件在高负载下的可靠性，延长使用寿命。同时，该MOSFET具有较高的耐用性和抗冲击能力，适应各种工业和消费类电子设备的需求。

应用

KTA1551T-RTK适用于多种电源管理与功率控制电路。例如，在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关器件；在电机驱动电路中用于控制电机的启停与方向；在电池管理系统中作为充放电控制开关。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明调光电路、电源负载开关、智能电表、工业自动化控制设备以及各类消费电子产品中的电源模块。其高可靠性和紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。