类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：30 pF
　　容差：±0.3 pF
　　额定电压：50 V
　　温度系数：NPO（C0G）
　　封装形式：径向引脚封装
　　尺寸：3.5 mm x 2.5 mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min

KMB3D0P30SA-RTK/P IC 的主要特性之一是其采用了NPO（C0G）介质材料，这使其具备极高的电容稳定性，尤其是在宽温度范围内变化时，电容值的变化极小。这种电容器适用于高精度定时电路、振荡器和滤波器等应用。
　　此外，该器件具有50V的额定工作电压，适合用于中高压电路设计。其径向引脚封装设计使得它在PCB上的安装更加稳固，且便于手工焊接和自动化装配。
　　该电容器还具备出色的高频特性，低等效串联电感（ESL）和极低的等效串联电阻（ESR），这使其在射频和高速数字电路中表现出色，能够有效减少信号失真和功率损耗。
　　KMB3D0P30SA-RTK/P IC 还具有优异的长期稳定性，即使在极端工作环境下也能保持性能不变。其绝缘电阻高达10,000 MΩ以上，确保了电路的高绝缘性能，避免漏电流造成的干扰或功耗增加。

KMB3D0P30SA-RTK/P IC 多层陶瓷电容器广泛应用于需要高稳定性和高精度的电子系统中。常见应用包括射频（RF）电路中的滤波和匹配网络，用于确保信号的纯净性和稳定性；在振荡器和定时电路中，作为关键的谐振元件，确保频率精度；在电源管理系统中，用于去耦和滤波，以降低噪声和提高电源稳定性。
　　此外，该电容器也常用于工业控制设备、通信模块、测量仪器以及航空航天电子系统等高可靠性要求的场合。其优异的温度稳定性和高频响应使其成为高性能模拟和数字电路中不可或缺的组件。

KMB3D0P30SA-RTK, KMB3D0P30SA-RTK-L, KMB3D0P30SA-RTK-TR