时间：2025/9/11 15:08:41
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KTA1504S-GR-RTR 是一款由KEC Corporation制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面条形技术和DMOS结构，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。这款MOSFET通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
功耗(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252
导通电阻(Rds(on))：最大值为8.5mΩ（在Vgs=10V时）
KTA1504S-GR-RTR 具有多个显著的性能特点。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的高栅极电荷（Qg）确保了在高频开关应用中的稳定性和可靠性。此外，KTA1504S-GR-RTR 还具备良好的热阻性能，能够有效散热，适用于高功率密度的设计。该MOSFET的封装形式为TO-252，便于安装和散热片连接，同时具备较强的过载能力和抗冲击性能。其工作温度范围宽广，能够在-55°C至150°C的环境下正常运行，适用于各种恶劣工作条件。
KTA1504S-GR-RTR 通常用于高功率开关应用，如电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路。在电源管理方面，该MOSFET可以用于高效能的电源供应器和电池管理系统，提供稳定的电力转换和调节功能。在电机控制应用中，它可以用于驱动直流电机或步进电机，实现高效的能量传输和精确的控制。此外，该器件也可用于逆变器和UPS系统，以提高系统的整体效率和可靠性。
Si9410BDY-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDP3632, NTD3055L17FR2
