晶体管类型：双极性晶体管（BJT）阵列
　　晶体管配置：双NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

BAV202T/R具有多项优良特性，适用于各种模拟和数字电路设计。其主要特性包括：
　　1. **双晶体管结构**：BAV202T/R集成了两个NPN晶体管，共享一个集电极，使得该器件在差分放大、电流镜和逻辑门电路中非常实用，可以减少外围元件数量并提高电路的集成度。
　　2. **高电流增益（hFE）**：该晶体管的电流增益范围为110至800，取决于工作电流大小，确保其在不同应用条件下都能提供稳定的放大性能。
　　3. **高频性能**：具有100MHz的增益带宽积，使其适用于中高频放大电路，如射频前端、音频放大和信号处理电路。
　　4. **低饱和压降（Vce_sat）**：在高电流条件下仍能保持较低的饱和压降，有助于提高电路效率并减少功率损耗。
　　5. **小型化封装**：采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB上布局，同时具备良好的热管理和机械稳定性。
　　6. **宽工作温度范围**：支持-55°C至+150°C的宽温度范围，适用于工业级和汽车电子应用，保证在恶劣环境下的稳定运行。

BAV202T/R由于其多功能性和小型化设计，广泛应用于多个电子领域。主要应用包括：
　　1. **差分放大器**：在运算放大器输入级和模拟信号处理电路中，用于实现高精度的差分信号放大。
　　2. **电流镜电路**：利用其双晶体管结构构建高精度电流镜，广泛用于模拟IC设计中的偏置电路和恒流源。
　　3. **逻辑门电路**：在TTL和ECL逻辑电路中作为基本构建单元，提供高速开关性能。
　　4. **音频放大**：用于前置放大器、音频驱动电路和低功率音频输出电路中。
　　5. **射频（RF）应用**：凭借其高频响应特性，适用于中低功率射频信号放大和混频电路。
　　6. **电源管理**：用于DC-DC转换器、LED驱动电路和电池管理系统中的开关控制。
　　7. **工业控制**：在PLC、传感器接口和工业自动化设备中用于信号调理和开关控制。

BC857B、BC847C、2N3904、MMBT3904、MPS2222