KTA1268GR 时间：2025/12/28 15:29:36 阅读：10

KTA1268GR是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用，例如电源转换、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和高电流容量的特点。KTA1268GR封装形式为SOP（小外形封装），适用于表面贴装工艺，具有良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：50A
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.018Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：23nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1000pF（典型值）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V

特性

KTA1268GR具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要，例如DC-DC转换器和电机驱动电路。其次，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压额定为30V，适用于多种中压功率转换应用。此外，KTA1268GR支持高达10A的连续漏极电流，具备较强的负载能力，适合高功率密度设计。
　　该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提高了开关速度并降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）仅为23nC，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。此外，KTA1268GR的输入电容较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高能效。
　　KTA1268GR还具备良好的热稳定性，封装设计支持有效的散热管理，适用于紧凑型电源设计。其SOP封装形式适用于表面贴装工艺，简化了PCB布局并提高了装配效率。在环境适应性方面，KTA1268GR可在-55℃至+150℃的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

KTA1268GR广泛应用于多个高功率电子系统领域。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，以提高转换效率并减少发热。在电机控制应用中，如直流电机驱动器和步进电机控制器，KTA1268GR凭借其高电流能力和低导通电阻，能够有效驱动高功率电机。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、LED驱动器和工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高频特性和良好的热性能，KTA1268GR也可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率转换模块。