时间：2025/7/29 23:03:56
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KT2016A16369ACW18TAG 是一款由 KIOXIA（原东芝存储）制造的 NAND 闪存芯片，广泛用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备以及其他需要高密度、非易失性存储的应用中。该型号属于 3D NAND 技术产品，具有较高的存储密度和读写性能。这款芯片采用 BGA 封装，适合在工业级和消费级电子产品中使用。
制造商：KIOXIA
产品类型：NAND 闪存
容量：16 Gb（2 GB）
封装类型：BGA
接口：ONFI 3.0
电压范围：1.8V - 3.3V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
存储架构：3D NAND
数据传输速率：高达 400 Mbps
擦写寿命：约 3000 次 P/E 周期
错误校正能力：支持 ECC（错误校正码）功能
KT2016A16369ACW18TAG 是一款高性能的 3D NAND 闪存芯片，具有较大的存储容量和较低的功耗，适用于多种嵌入式系统和固态存储设备。其 ONFI 3.0 接口标准支持高速数据传输，能够满足现代设备对数据处理速度的需求。该芯片的宽电压范围设计使其在不同的电源条件下都能稳定工作，适用于多种应用场景。
此外，该芯片支持 ECC（错误校正码）功能，可以在数据读写过程中自动检测和纠正错误，提高数据存储的可靠性。其工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于恶劣环境下的工业设备和汽车电子系统。
该芯片还具有较长的擦写寿命，支持约 3000 次 P/E 周期，能够满足高频率读写需求的应用场景。BGA 封装形式不仅节省空间，还能提供良好的电气性能和热稳定性，适用于高密度电路板设计。
该芯片广泛应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备、工业控制系统、汽车电子、便携式消费电子产品等领域。其高存储密度和低功耗特性使其成为嵌入式系统的理想选择，同时也适用于需要长期可靠运行的工业和汽车应用。
TH58TVG7S2HBA4C, TC58TVG9S0HBA4C
