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H55S5122EFR-75 发布时间 时间:2025/9/1 16:30:42 查看 阅读:6

H55S5122EFR-75 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高速DRAM系列。该芯片的型号表明其为高性能的存储解决方案,适用于需要高带宽和低延迟的系统设计。H55S5122EFR-75 是一款同步动态RAM(SDRAM),广泛用于计算机、服务器、网络设备和嵌入式系统中。

参数

容量:256MB
  组织结构:512K x 32
  电压:2.3V - 3.6V
  速度:-75(对应访问时间7.5ns)
  封装:54引脚TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:16位
  时钟频率:最大可达166MHz
  

特性

H55S5122EFR-75 SDRAM芯片具有多个关键特性,确保其在各种应用中提供稳定和高效的性能。首先,该芯片支持高速数据传输,其最大时钟频率可达166MHz,对应的访问时间为7.5ns,能够满足高性能系统的需求。此外,该芯片的电压范围为2.3V至3.6V,使其具有良好的兼容性,适用于不同类型的电源设计。
  该芯片采用同步操作模式,所有输入和输出信号均与时钟同步,确保了数据传输的稳定性,并减少了时序误差。H55S5122EFR-75 还支持自动刷新和自刷新功能,能够在低功耗模式下保持数据完整性,适用于需要节能设计的应用场景。
  在封装方面,该芯片采用54引脚TSOP封装,具有较小的体积和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于工业控制、通信设备、汽车电子等严苛环境下的应用。

应用

H55S5122EFR-75 SDRAM芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统。在嵌入式系统中,它常用于作为主存储器,提供高速数据存取能力,以支持实时操作系统的运行。在工业控制领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和自动化设备中,确保系统的稳定性和响应速度。
  在通信设备中,H55S5122EFR-75 可用于路由器、交换机和基站等设备,为数据缓冲和处理提供必要的存储支持。在消费类电子产品中,如智能电视、机顶盒和多媒体播放器,该芯片可用于提升系统性能和用户体验。此外,在汽车电子系统中,该芯片可用于车载信息娱乐系统(IVI)、驾驶辅助系统(ADAS)等模块,确保系统在高负载情况下的稳定运行。

替代型号

H57V5122B4BFR-75, HY57V561620BFTP-7B, MT48LC16M2A2B4-6A

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