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KST2222AMTF 发布时间 时间:2025/6/28 23:39:29 查看 阅读:7

KST2222AMTF是一种基于硅平面工艺制造的高压、高灵敏度瞬态抑制二极管(TVS二极管)。它专门设计用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、雷击浪涌和其他瞬态电压的影响。该器件具有快速响应时间、低电容和出色的钳位能力,适用于高速数据线和信号线的保护。
  这种TVS二极管符合IEC 61000-4-2国际标准,并且在多种工业和消费类应用中表现优异。KST2222AMTF采用SOD-323小型封装,有助于节省PCB空间并简化设计。

参数

最大反向工作电压:18V
  击穿电压:22V
  峰值脉冲电流:37.5A
  箝位电压:35.9V
  结电容:3.5pF
  响应时间:1ps
  最大漏电流:1uA
  存储温度范围:-65℃至150℃

特性

1. 快速响应时间,能够有效抑制瞬态电压尖峰。
  2. 低结电容设计,适合高速信号线路。
  3. 高能浪涌吸收能力,确保长期可靠性。
  4. 小型化SOD-323封装,便于表面贴装。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
  6. 在高温环境下仍保持稳定的性能。
  7. 可承受多次重复的ESD冲击而不损坏。

应用

1. USB接口保护
  2. HDMI、DisplayPort等高速数据线防护
  3. 无线通信模块中的射频信号线保护
  4. 工业控制设备中的信号输入/输出端口防护
  5. 汽车电子系统中的瞬态电压抑制
  6. 移动设备中的静电防护
  7. 网络交换机、路由器等网络设备的接口保护

替代型号

PESD2CAN, SMF24A, SMBJ18CA

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KST2222AMTF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大350mW
  • 频率 - 转换300MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称KST2222AMTF-NDKST2222AMTFTR