KSR1002 是一款由韩国品牌 Kinetic Technologies 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件设计用于高效能、低导通电阻和快速开关速度,适用于各类电子设备中的 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(ID):6A
最大漏源电压(VDS):20V
最大栅源电压(VGS):±12V
导通电阻(RDS(on)):10mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TSOP6
KSR1002 的核心特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流工作条件下,MOSFET 的导通损耗显著降低,从而提高了系统的整体效率。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定运行,确保系统的可靠性。
KSR1002 的栅极驱动电压范围为 ±12V,通常在 4.5V 至 10V 之间进行有效控制,这使得它能够与常见的逻辑控制器(如微控制器和 PWM 控制器)直接配合使用,无需额外的电平转换电路。这种特性简化了设计流程,降低了整体系统的成本和复杂度。
该 MOSFET 还具备快速开关能力,开关时间短,降低了开关损耗,并有助于提高开关频率,这对于高频电源转换器和高效能 DC-DC 变换器尤为重要。同时,其 TSOP6 封装形式具有较小的体积和良好的散热性能,适合用于空间受限的便携式设备和高密度 PCB 设计。
此外,KSR1002 在制造过程中采用了先进的工艺技术,具有优异的抗静电能力和较高的耐用性,能够在严苛的电磁环境下稳定工作。这种特性使其适用于工业控制、消费类电子产品以及汽车电子等多种应用场景。
KSR1002 主要应用于各类功率电子系统,特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的场合。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源管理模块、电机驱动电路以及各种低电压高电流的功率开关应用。
在消费电子产品中,KSR1002 可用于电源管理单元(PMU)中的开关元件,帮助实现高效能的电池供电管理。例如,在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该器件能够有效地控制电池供电路径,优化能源使用效率,延长设备续航时间。
在工业自动化和控制系统中,KSR1002 可作为功率 MOSFET 驱动器,用于控制继电器、LED 驱动、电机控制以及其他需要高频率开关和低导通损耗的场合。其高可靠性和良好的热稳定性使其在高温、高湿度或电磁干扰较强的工业环境中仍能保持稳定运行。
此外,在汽车电子系统中,KSR1002 也可用于车身控制模块(BCM)、车载信息娱乐系统(IVI)以及车载充电器等设备中,提供稳定可靠的功率开关功能。
Si2302DS, AO4406A, FDS6675, IRF7404