时间：2025/6/13 13:24:00
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KSH50是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效能。
型号：KSH50
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：50V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：30A
导通电阻Rds(on)：1.8mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗Pd：160W
结温范围Tj：-55℃至+175℃
KSH50具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提升整体效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 良好的热稳定性，能够承受较高的结温范围。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流性能，降低了开关噪声。
5. 小型封装设计，便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
KSH50适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高频开关管。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池保护和负载切换中的关键开关。
5. 汽车电子系统中的大电流控制器件。
6. 各类工业自动化设备中的功率管理组件。
KSB50,
KSH50P,
IRF540,
STP30NF50
