类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.65Ω
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

KSH13009H 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达800V，这使得它适用于高压电源转换应用。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），在导通状态下可以减少功率损耗，提高系统效率。KSH13009H 的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，提高了其在不同电路环境下的适应性。
　　在热性能方面，KSH13009H 采用高散热效率的TO-220封装，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提升整体系统的稳定性和可靠性。该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减小外围电路的体积并提升转换效率。
　　安全性方面，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态高压条件下保持稳定工作。此外，其过热保护和短路保护能力也使其在恶劣工作环境下依然能够维持较长的使用寿命。

KSH13009H 广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、LED驱动电源、AC-DC转换器、DC-DC转换器以及逆变器等。在节能灯、电动车充电器、工业控制电源和家电电源模块中也常被使用。由于其高耐压和低导通电阻特性，KSH13009H 特别适合用于需要高效率和高稳定性的功率转换系统。
　　此外，该MOSFET还可用于电机驱动、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及UPS不间断电源等应用场景。其优异的热稳定性和抗过载能力也使其在高可靠性要求的工业和汽车电子系统中表现出色。

KSH13009, K213009H, KSC13009H