时间：2025/8/20 2:34:57
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M2367DNE是一款由STMicroelectronics（意法半导体）设计和生产的功率MOSFET器件，通常用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET采用先进的技术，具备较低的导通电阻和较高的效率，使其非常适合用于电源管理、功率转换和负载开关等应用。M2367DNE采用TO-220AB封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合工业和汽车电子环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220AB
M2367DNE具有多项高性能特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少功率损耗并提高效率。该器件的高漏源电压（600V）和较大的漏极电流（15A）使其适用于中高功率的应用场景。
此外，M2367DNE采用了先进的制造工艺，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。其TO-220AB封装设计提供了良好的散热性能，使器件能够在较高功率下长时间运行而不会出现热失控。
该MOSFET还具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时，其±20V的栅极电压容限提高了器件在复杂电路环境中的耐用性和抗干扰能力。
综合来看，M2367DNE是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种工业、汽车和消费电子应用。
M2367DNE广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关控制。此外，该器件还可用于LED照明驱动、家用电器和汽车电子系统中的功率管理模块。
IPP60R190P6, STW20NM60N
