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KSC2786YBU 发布时间 时间:2023/11/20 18:02:19 查看 阅读:137

类别:分离式半导体产品

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概述

类别:分离式半导体产品
家庭:RF 晶体管 (BJT)
晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V
频率 - 转换:600MHz
噪声系数(dB典型值@频率):3dB @ 100MHz
增益:18dB ~ 22dB
功率 - 最大:250mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1mA, 6V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):20mA
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(短主体)
包装:散装

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KSC2786YBU参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 晶体管 (BJT)
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • 频率 - 转换600MHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率)3dB ~ 5dB @ 100MHz
  • 增益18dB ~ 22dB
  • 功率 - 最大250mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1mA,6V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)20mA
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 短体
  • 供应商设备封装TO-92S
  • 包装散装