类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110A（在Tc=25℃）
　　功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.9mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：约200nC
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V

KSC2383-OBU的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET在高电流承载能力方面表现出色，额定漏极电流可达110A，非常适合用于大功率开关电源和电机控制电路。此外，其TO-252封装具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定的温度表现。
　　KSC2383-OBU还具有较高的栅极稳定性，支持±20V的栅源电压范围，使得在各种驱动条件下都能保持可靠的导通与关断操作。其高耐压特性（30V漏源电压）使其适用于多种低压高电流应用，例如电池管理系统、DC-DC转换器和工业自动化设备。
　　该器件的热稳定性较强，工作温度范围宽，从-55℃到+150℃，确保其在恶劣环境条件下仍能正常运行。同时，其低热阻设计也有助于延长器件寿命和提升系统可靠性。

KSC2383-OBU常用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（如电动工具、电动车和储能系统）。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备中的高电流开关电路，以及各类高效率电源适配器和UPS（不间断电源）系统。

KSC2383-OBU的替代型号包括IRF1404、Si4410DY、NTMFS4C10N和AO4404。这些型号在导通电阻、电流承载能力和封装形式方面与KSC2383-OBU相近，可根据具体应用需求进行替换。