型号：K6X1008T2D-TF85
　　制造商：Samsung
　　存储容量：1Gbit (128MB)
　　组织结构：8M x 16
　　工作电压：1.8V ± 0.1V
　　接口类型：Mobile DDR SDRAM
　　时钟频率：最高85MHz
　　数据速率：170Mbps/pin
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90-ball
　　工作温度：-30°C 至 +85°C
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCAR)
　　电源管理：支持低功耗自刷新(LPASR)、深度掉电模式

K6X1008T2D-TF85具备多项专为移动设备优化的关键特性，确保其在性能、功耗和可靠性之间实现良好平衡。首先，该芯片采用1.8V单电源供电设计，相较于传统的2.5V或3.3V SDRAM，显著降低了系统功耗，延长了电池续航时间。其核心架构基于双倍数据速率（DDR）技术，通过在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据采样，使数据传输效率翻倍，在有限的引脚数量下实现了更高的带宽利用率。为了适应移动设备频繁待机和唤醒的使用场景，K6X1008T2D-TF85集成了多种低功耗管理模式，包括标准的自刷新模式（Self-Refresh）、低功耗自刷新模式（LPASR）以及深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）。在自刷新模式下，芯片内部维持必要的刷新操作以保持数据完整性，同时关闭大部分外围电路；而在深度掉电模式中，所有内部电路几乎完全关闭，仅保留最低限度的唤醒检测逻辑，此时静态电流可降至微安级别，极大提升了待机能效。
　　其次，该器件支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Auto Refresh, TCAR）功能，能够根据芯片内部温度传感器监测到的实时温度动态调整行地址的刷新周期。在高温环境下，由于漏电流增大，数据保持时间缩短，系统会自动增加刷新频率以防止数据丢失；而在低温条件下则适当延长刷新间隔，减少不必要的功耗。这一机制在保障数据可靠性的前提下，实现了精细化的功耗管理。此外，K6X1008T2D-TF85采用差分时钟输入（CK/CKB），提高了时钟信号的抗噪声能力和时序精度，有助于在高频工作状态下维持系统稳定性。其支持可编程的突发长度（如4-word或8-word突发）和连续页模式，允许控制器根据实际访问模式优化数据传输效率。封装方面，90球FBGA封装具有体积小、引脚间距紧凑、热阻和电感低的优点，适合高密度PCB布局。整体而言，这些特性使得K6X1008T2D-TF85成为当时移动终端内存方案中的理想选择之一。

K6X1008T2D-TF85主要应用于各类便携式消费类电子产品，尤其是对功耗敏感且需要中等容量高速内存的设备。典型应用包括智能手机和平板电脑，作为主系统内存用于运行操作系统、应用程序及缓存用户数据。在这些设备中，其低电压特性和多种省电模式有效延长了电池使用时间。此外，该芯片也广泛用于便携式媒体播放器（PMP），支持高清视频解码过程中的帧缓冲存储与快速数据交换。掌上游戏机和智能手表等可穿戴设备同样采用了此类移动DRAM，以满足图形渲染和多任务处理的内存需求。在工业领域，部分嵌入式控制系统、手持式数据采集终端和医疗监测仪器也选用K6X1008T2D-TF85，因其具备良好的温度适应性和长期供货稳定性。由于其接口协议兼容主流移动处理器平台，常与三星、高通、联发科等厂商的应用处理器配套使用。尽管当前主流设备已转向LPDDR2/LPDDR3及以上标准，但在一些存量产品维护、备件替换及特定工业项目中，该型号仍具有一定的市场需求。

K4X1G163FE-TF85
　　K4X1G163QE-TF85
　　AS4C16M16SA-8BIN