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2N3716 发布时间 时间:2025/7/25 23:52:24 查看 阅读:6

2N3716是一种常用的NPN型双极性晶体管(BJT),主要用于射频(RF)和中频(IF)放大器应用。该晶体管由美国公司Motorola生产,采用TO-72金属封装,具有良好的高频性能和稳定性。2N3716特别适用于低噪声放大器、混频器和振荡器等电路设计,是早期射频电路设计中常用的晶体管之一。

参数

类型:NPN型双极性晶体管
  封装形式:TO-72金属封装
  最大集电极电流(Ic):10 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):15 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):25 V
  最大功耗(Ptot):100 mW
  最大工作温度:-55°C至+150°C
  过渡频率(fT):100 MHz
  电流增益(hFE):在Ic=2 mA时,典型值为50-150
  噪声系数:0.5 dB(典型值)

特性

2N3716具有低噪声系数和良好的高频响应,这使其成为射频和中频放大器的理想选择。其金属封装不仅提供了良好的散热性能,还减少了外部电磁干扰的影响。此外,该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,能够在不同的工作条件下保持稳定的工作性能。其过渡频率(fT)达到100 MHz,使得该晶体管能够有效地工作在高频范围内。
  在设计中,2N3716的低噪声特性使其在需要高信号完整性的应用中表现出色,例如在接收机前端放大器中。它的封装形式和参数特性也使得它在PCB布局中易于使用,特别是在高频电路中对布局要求较高的场合。
  此外,2N3716的功耗较低,适用于对功耗敏感的设计,同时其最大集电极电流和电压参数使得它能够在中等功率应用中稳定运行。该晶体管的可靠性和稳定性也使得它在长期运行的设备中得到了广泛应用。

应用

2N3716主要用于射频和中频放大器电路中,特别是在早期的通信设备、广播接收机和测试仪器中。它可以用于低噪声前置放大器、混频器、振荡器和中频放大器等电路设计。由于其良好的高频性能,2N3716也常用于信号发生器和频率合成器等电路中。
  在实际应用中,2N3716通常被用作小信号放大器,尤其是在需要低噪声和高稳定性的场合。例如,在无线通信系统中,2N3716可以用于接收机的前端放大器,以提高信号的灵敏度和信噪比。此外,它也可以用于音频放大器中的前置级,以提高整体放大器的性能。

替代型号

2N3716的替代型号包括2N3717、BF199、BF200等。这些晶体管在某些参数上略有不同,但在大多数应用中可以互换使用。选择替代型号时需注意其电气特性和封装形式是否符合具体应用需求。

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2N3716参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO7 V
  • 最大直流电集电极电流10 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min50
  • 最大工作频率4 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-3
  • 封装Sleeve
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散150 W
  • 工厂包装数量20