时间：2025/6/29 3:12:10
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KS5M3U1956WFP是一款由韩国公司生产的高性能DDR4内存颗粒，广泛应用于台式机、笔记本电脑及服务器等设备中。该芯片采用先进的制程工艺，具备高带宽、低功耗以及高稳定性的特点，能够满足现代计算设备对数据传输速度和能效的需求。
该芯片的封装形式为FB具有出色的电气性能和散热表现，适合大规模数据处理任务。
类型：DDR4 SDRAM
容量：4Gb (512MB)
位宽：x8/x16
工作电压：1.2V
数据速率：2133Mbps, 2400Mbps, 2666Mbps, 2800Mbps, 3000Mbps, 3200Mbps
封装形式：FBGA
引脚数：78-ball
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
KS5M3U1956WFP采用最新的DDR4技术规范，相较于前代DDR3产品，其数据传输速率大幅提升，同时降低了工作电压，从而显著减少了功耗。
该芯片支持ECC（Error Correction Code）功能，可有效检测并纠正数据传输中的单比特错误，提高了系统的可靠性。
此外，KS5M3U1956WFP具备动态电源管理功能，可根据实际负载情况调整功耗，进一步优化了整体能效表现。
其优异的信号完整性和抗干扰能力，确保了在高频运行环境下的稳定性，非常适合对性能要求较高的应用场景。
KS5M3U1956WFP主要应用于以下领域：
1. 台式机和笔记本电脑的内存模块制造。
2. 数据中心及企业级服务器的高速存储解决方案。
3. 工业控制设备、网络通信设备和图形工作站等需要高带宽数据处理能力的场合。
4. 游戏主机和其他消费类电子产品中作为主存或缓存使用。
由于其卓越的性能和可靠性，KS5M3U1956WFP成为众多内存模组厂商的首选颗粒之一。
KS5M3U1956WFP-A00, KS5M3U1956WFP-B00, H5AN8G6NJR-SRC, MT40A512M16HA-093
