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IPD038N06N3G 发布时间 时间:2025/7/1 21:09:51 查看 阅读:26

IPD038N06N3G是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用先进的半导体制造工艺生产。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点,广泛应用于各种电源管理场景,如DC-DC转换器、开关电源和电机驱动等。其封装形式为TO-252(DPAK),能够有效提升散热性能并支持高电流应用。
  这款MOSFET的主要优势在于其出色的电气特性和可靠性,适合需要高效能和低损耗的电路设计。

参数

型号:IPD038N06N3G
  类型:N沟道MOSFET
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):3.8mΩ(典型值,在VGS=10V时)
  IDS(连续漏极电流):40A
  VGS(th)(栅极阈值电压):2.5V~4.5V
  功耗:110W
  封装:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

IPD038N06N3G具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻RDS(on),仅为3.8mΩ(在VGS=10V条件下),从而减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,确保在高频应用中表现优异。
  3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下长期可靠运行。
  4. 强大的电流承载能力,最大可支持40A的连续漏极电流。
  5. 小巧紧凑的TO-252封装,有助于节省PCB空间并优化散热设计。
  6. 广泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),适应各种恶劣环境条件。
  7. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

IPD038N06N3G适用于多种电力电子领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器中的功率开关,用于降压或升压电路。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  4. 汽车电子设备中的负载切换和保护功能。
  5. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
  6. 其他需要高效、低损耗功率开关的应用场景。

替代型号

IPD040N06S3G, IRFZ44N, FDP047N06L

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